在最近美國(guó)舉行的2013 Strategies in Light會(huì)議上，晶能光電CTO趙漢明博士報(bào)告了硅基LED的最新進(jìn)展情況。

在題目為“Commercialization of High Power LEDs based on GaN/Si technology”的報(bào)告中，他從產(chǎn)品的工藝、種類(lèi)、性能、應(yīng)用和特點(diǎn)等方面詳細(xì)介紹了晶能光電硅基大功率LED芯片的最新研究進(jìn)展及量產(chǎn)情況，指出晶能光電作為目前全球最早實(shí)現(xiàn)硅基LED芯片量產(chǎn)的公司，將打破藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底LED芯片的壟斷局面，為高效率低成本的半導(dǎo)體照明做出自己的貢獻(xiàn)。

報(bào)告重點(diǎn)介紹了包括28*28mil、35*35mil、45*45mil和55*55mil在內(nèi)的四款硅基大功率LED芯片，此前晶能光電在廣州香格里拉大酒店舉行的新一代大功率硅基LED芯片產(chǎn)品發(fā)布會(huì)上推出了這四款產(chǎn)品，45mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率可達(dá)到120lm/W。

趙漢明博士指出，經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的努力，現(xiàn)在晶能光電45mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率已經(jīng)提高到130lm/W，產(chǎn)品封裝后藍(lán)光功率最高可達(dá)615mW，白光光通量最高可達(dá)145lm，而55mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率可達(dá)140lm/W。趙博士指出，目前藍(lán)寶石襯底LED技術(shù)已經(jīng)很成熟，世界上99%的公司都是用這個(gè)技術(shù)制造LED；碳化硅襯底LED技術(shù)主要是科銳在用，技術(shù)也比較成熟；用硅做襯底最有潛力，但也最難。晶能光電從2006年成立以來(lái)，就專(zhuān)注硅基LED芯片的研究和開(kāi)發(fā)，也是目前世界上最早將硅基LED產(chǎn)品推向市場(chǎng)的公司。

從產(chǎn)品來(lái)講，硅基LED芯片是垂直結(jié)構(gòu)芯片，比起常見(jiàn)的藍(lán)寶石芯片，硅基LED芯片具有出光形貌好、散熱優(yōu)良、適合于大電流驅(qū)動(dòng)以及陶瓷封裝效率高等特點(diǎn)。從技術(shù)成本方面來(lái)講，硅基LED芯片用的是銀反射鏡垂直結(jié)構(gòu)技術(shù)，與ITO水平結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石LED芯片相比，具有散熱好、電流擴(kuò)展好等優(yōu)勢(shì)，同樣大小的LED芯片，垂直結(jié)構(gòu)的正常工作電流可以比ITO水平結(jié)構(gòu)的高很多，因此單位面積芯片出光要高。同等總流明的燈具所需要的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片顆數(shù)要少，這是成本降低的一大因素。此外硅襯底比藍(lán)寶石更加適合于大尺寸外延。藍(lán)寶石襯底技術(shù)在從2寸轉(zhuǎn)向6寸、8寸時(shí)技術(shù)壁壘非常高，生產(chǎn)成本不降反升。但對(duì)于硅襯底LED技術(shù)，從2寸轉(zhuǎn)向6-12寸襯底時(shí)比較順暢，并且可以利用成熟的IC工藝和大尺寸硅襯底成本低的優(yōu)勢(shì)，大幅度提高LED產(chǎn)線(xiàn)的自動(dòng)化程度和生產(chǎn)效率，降低LED產(chǎn)品的綜合成本。目前晶能光電正在開(kāi)發(fā)6寸GaN/Si技術(shù)的量產(chǎn)技術(shù)，用6寸硅襯底開(kāi)發(fā)的45mil硅基大功率LED芯片光效可達(dá)120lm/W。

晶能光電在硅襯底LED光效的提高和產(chǎn)品的量產(chǎn)方面正取得決定性和突破性的進(jìn)展。從光效來(lái)講，硅基LED芯片達(dá)到了和同尺寸的藍(lán)寶石基的芯片完全相當(dāng)?shù)乃剑蛻?hù)反饋表明，硅襯底LED芯片在電壓、漏電以及可靠性等方面比同類(lèi)的藍(lán)寶石芯片更好。從產(chǎn)量來(lái)講，目前晶能光電在硅襯底小功率LED芯片量產(chǎn)的數(shù)年后，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)大功率硅基LED芯片，產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到2寸晶圓每月5萬(wàn)片，已擁有約50個(gè)客戶(hù)。晶能光電將與國(guó)內(nèi)外的封裝公司合作，推廣大功率硅襯底LED芯片，同時(shí)將與LED照明公司合作，盡快推出用硅基LED芯片做成的各種模組和燈具，這些燈具將在芯片方面沒(méi)有專(zhuān)利問(wèn)題。同時(shí)還將與IC行業(yè)的企業(yè)進(jìn)行合作，共同推進(jìn)大尺寸硅襯底LED技術(shù)的發(fā)展。晶能光電將通過(guò)技術(shù)的進(jìn)步和良率的提升，驅(qū)動(dòng)LED芯片成本的持續(xù)下降，為L(zhǎng)ED照明的進(jìn)一步發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

晶能光電（江西）有限公司是由金沙江、淡馬錫、國(guó)際金融公司（IFC）等多家著名的投資機(jī)構(gòu)共同投資，專(zhuān)門(mén)從事LED外延材料與芯片生產(chǎn)的高科技企業(yè)，目前注冊(cè)資金8500萬(wàn)美元，總投資超過(guò)1.2億美元。晶能光電一貫重視研發(fā)創(chuàng)新，在硅基LED技術(shù)方面具有核心競(jìng)爭(zhēng)力，擁有的硅基氮化鎵LED材料與器件技術(shù)是一項(xiàng)改寫(xiě)半導(dǎo)體照明歷史的顛復(fù)性新技術(shù)，具有原創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底之外，形成了第三條半導(dǎo)體照明技術(shù)路線(xiàn)。針對(duì)硅基LED外延芯片技術(shù)申請(qǐng)了國(guó)際國(guó)內(nèi)200多項(xiàng)專(zhuān)利，其中PCT專(zhuān)利32項(xiàng)，且已在美國(guó)、歐盟、日本和韓國(guó)等國(guó)家或地區(qū)提出了申請(qǐng)。晶能光電生產(chǎn)的硅基LED芯片具有如下三大優(yōu)勢(shì)：

1、具有原創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)品可銷(xiāo)往國(guó)際市場(chǎng)，不受?chē)?guó)際專(zhuān)利限制；

2、具有優(yōu)良的性能：器件散熱好、可在大電流密度下工作、抗靜電性能好、壽命長(zhǎng)、光斑形狀好；

3、器件封裝工藝簡(jiǎn)單，垂直結(jié)構(gòu)芯片，適合做熒光粉直涂工藝，節(jié)約封裝成本。