芯片，是LED的核心部件。目前國(guó)內(nèi)外有很多LED芯片廠家，然芯片分類沒(méi)有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，若按功率分類，則有大功率和中小功率之分;若按顏色分類，則主要為紅色、綠色、藍(lán)色三種;若按形狀分類，一般分為方片、圓片兩種;若按電壓分類，則分為低壓直流芯片和高壓直流芯片。

襯底材料技術(shù)成關(guān)鍵

目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料生長(zhǎng)技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。目前，市面上大多采用藍(lán)寶石或碳化硅襯底來(lái)外延生長(zhǎng)寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵，但這兩種材料價(jià)格都非常昂貴，且都為國(guó)外大企業(yè)所壟斷，而硅襯底的價(jià)格比藍(lán)寶石和碳化硅襯底便宜得多，可制作出尺寸更大的襯底，提高M(jìn)OCVD的利用率，從而提高管芯產(chǎn)率。所以，為突破國(guó)際專利壁壘，晶能光電從2006年成立以來(lái)，就專注硅襯底LED芯片的研究和開(kāi)發(fā)，也是目前世界上唯一一家將硅襯底LED產(chǎn)品推向市場(chǎng)的公司。

從襯底角度看，藍(lán)寶石和碳化硅襯底技術(shù)已經(jīng)相對(duì)成熟，但硅已經(jīng)成為芯片領(lǐng)域今后的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于價(jià)格戰(zhàn)日益嚴(yán)重的LED市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，硅襯底更有成本和價(jià)格優(yōu)勢(shì)：硅襯底是導(dǎo)電襯底，不但可以減少管芯面積，還可以省去對(duì)氮化鎵外延層的干法腐蝕步驟，加之，硅的硬度比藍(lán)寶石和碳化硅低，在加工方面也可以節(jié)省一些成本。

目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計(jì)，使用硅襯底制作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底低90%。

硅襯底芯片技術(shù)突飛猛進(jìn)

晶能光電從公司成立之初，就創(chuàng)新性地運(yùn)用“硅”代替?zhèn)鹘y(tǒng)的藍(lán)寶石或碳化硅作為襯底制造氮化鎵基LED器件，并在全球率先將具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的硅襯底LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。這是一項(xiàng)改寫(xiě)半導(dǎo)體照明歷史的顛覆性新技術(shù)，具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán)。國(guó)家863專家組對(duì)此項(xiàng)技術(shù)的評(píng)價(jià)是：“打破了目前日本日亞公司壟斷藍(lán)寶石襯底和美國(guó)CREE公司壟斷碳化硅基半導(dǎo)體照明技術(shù)的局面，形成了藍(lán)寶石、碳化硅、硅基半導(dǎo)體照明技術(shù)方案三足鼎立的局面。”

2009年晶能光電推出硅襯底小功率LED產(chǎn)品，2012年推出硅襯底大功率LED產(chǎn)品，2013年在廣州國(guó)際照明展上，晶能光電展出的6英寸硅襯底LED芯片，以及聯(lián)合下游中節(jié)能晶和照明公司推出的采用大功率LED芯片的路燈模組，引起了國(guó)內(nèi)外眾多行業(yè)人士的廣泛關(guān)注。硅襯底LED大功率芯片發(fā)光效率由2011年的90流明/瓦提升到目前的150流明/瓦，產(chǎn)品性能已與當(dāng)前市場(chǎng)上主流的藍(lán)寶石LED產(chǎn)品水平相當(dāng)，甚至在部分領(lǐng)域超過(guò)了當(dāng)前的主流技術(shù)。

未來(lái)三年，全球LED照明呈井噴式增長(zhǎng)，硅襯底LED技術(shù)將以技術(shù)創(chuàng)新提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)、垂直整合打造規(guī)模發(fā)展、渠道建設(shè)營(yíng)造品牌效應(yīng)，三駕馬車迎接挑戰(zhàn)。