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晶能光電硅襯底LED技術(shù)榮獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

時(shí)間:2016-01-08 來(lái)源: 點(diǎn)擊:16680

1月8日,國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)在北京人民大會(huì)堂隆重舉行,由南昌大學(xué)、晶能光電(江西)有限公司、中節(jié)能晶和照明有限公司共同完成的“硅襯底高光效氮化鎵基藍(lán)色發(fā)光二極管項(xiàng)目”榮獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。項(xiàng)目主要完成人包括晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)江風(fēng)益教授,晶能光電副總裁孫錢博士,晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人、CEO及晶和照明創(chuàng)始人王敏博士等人。

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  項(xiàng)目主要完成人之一——江風(fēng)益教授

在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域存在三條LED技術(shù)路線,分別是藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底和硅襯底LED技術(shù)路線。其中,前兩條技術(shù)路線分別是以日本和美國(guó)為主發(fā)展起來(lái)的,藍(lán)寶石襯底技術(shù)的三位主要發(fā)明人獲得了2014年度諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng);碳化硅襯底LED技術(shù)的發(fā)明人獲得了2003年美國(guó)總統(tǒng)技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)。

據(jù)介紹,國(guó)家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)判定標(biāo)準(zhǔn)為:屬國(guó)內(nèi)外首創(chuàng)的重大技術(shù)發(fā)明或創(chuàng)新,技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)達(dá)到了同類技術(shù)領(lǐng)先水平,且推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)進(jìn)步且已產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)或者社會(huì)效益。

硅襯底LED技術(shù)從南昌大學(xué)誕生,晶能光電投巨資持續(xù)研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化,并經(jīng)晶和照明等眾多企業(yè)應(yīng)用推廣,已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)。此次硅襯底LED項(xiàng)目脫穎而出,成為2015年度唯一一個(gè)國(guó)家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng),這是國(guó)家層面對(duì)該技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用的高度肯定。

硅襯底具有良好的導(dǎo)熱性,且具有原材料成本低廉,晶圓尺寸大等優(yōu)點(diǎn)。在硅襯底上制備氮化鎵基LED一直是業(yè)界夢(mèng)寐以求的事情。然而由于硅和氮化鎵這兩種材料巨大的晶格失配和熱失配導(dǎo)致的外延膜龜裂、晶體質(zhì)量差,以及襯底不透明導(dǎo)致的出光效率低等問(wèn)題長(zhǎng)期未能解決,致使業(yè)界普遍認(rèn)為,在硅襯底上制備高光效氮化鎵基LED是不可能的。

以江風(fēng)益教授為首的研發(fā)團(tuán)隊(duì)率先攻克這些世界性難題,在南昌大學(xué)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出具有原創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的硅襯底LED技術(shù)。2006年,該技術(shù)獲得金沙江等知名創(chuàng)投的A輪投資,由江風(fēng)益教授和王敏博士聯(lián)合創(chuàng)立晶能光電,專注于硅襯底LED技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。

歷經(jīng)十年艱苦,后又陸續(xù)獲得新加坡淡馬錫牽頭的B輪融資、國(guó)際金融公司(IFC)牽頭的C輪融資以及亞太資源牽頭的D輪融資支持;又在金沙江等投資人的共同努力下,引進(jìn)趙漢民博士、孫錢博士等多名優(yōu)秀海歸共同奮斗,晶能光電率先于全球成功實(shí)現(xiàn)硅襯底LED技術(shù)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。

2014年8月美國(guó)能源部《固態(tài)照明研究與發(fā)展制造藍(lán)圖 (Manufacturing Roadmap:Solid-State Lighting Research and Development)》報(bào)告中寫(xiě)道:“晶能光電是硅襯底LED技術(shù)的最早實(shí)踐者,并在 2012 年 6 月開(kāi)始量產(chǎn)硅襯底氮化鎵LED芯片”。這是國(guó)際上對(duì)晶能光電在硅襯底LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化方面領(lǐng)跑的肯定。

作為全球硅襯底LED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,晶能光電用短短十年時(shí)間將一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)室技術(shù)發(fā)展成為全球第三條藍(lán)光LED技術(shù)路線,完成全球硅襯底LED專利布局。目前,圍繞該項(xiàng)目已申請(qǐng)專利330多項(xiàng),已授權(quán)專利147項(xiàng),其中授權(quán)國(guó)際專利47項(xiàng)。這些專利將是構(gòu)建中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)池的基石,對(duì)我國(guó)的LED產(chǎn)業(yè)格局和產(chǎn)業(yè)安全將產(chǎn)生重大的影響。

據(jù)晶能光電孫錢博士介紹,硅襯底LED技術(shù)仍有巨大的發(fā)展空間,可望獲得大尺寸外延片,以便結(jié)合集成電路6寸和8寸的裝備以及成熟的產(chǎn)線組織和管理經(jīng)驗(yàn),進(jìn)行大規(guī)模自動(dòng)化制造,從而提高生產(chǎn)效率,使LED產(chǎn)品綜合成本進(jìn)一步大幅度降低,這或?qū)⒂绊懭騆ED行業(yè),改變競(jìng)爭(zhēng)格局。

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  項(xiàng)目主要完成人之一——孫錢博士(右一)

江風(fēng)益教授進(jìn)一步展望:“基于藍(lán)光LED加熒光粉的照明技術(shù)路線,還只是一種過(guò)渡性技術(shù)方案。我們正努力攻關(guān)硅襯底黃光、綠光LED技術(shù),將使無(wú)需熒光粉的LED照明技術(shù)成為現(xiàn)實(shí)?!?/span>

目前晶能光電量產(chǎn)的硅襯底大功率LED發(fā)光效率已經(jīng)超過(guò)160Lm/W,在同類產(chǎn)品中可與歐美日國(guó)際大廠水平相媲美,成功打破了國(guó)際大廠對(duì)高端大功率LED的壟斷。憑借可靠性好、指向性好、高品質(zhì)出光、性價(jià)比好等特點(diǎn),硅襯底LED在大功率照明領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用,在某些高端市場(chǎng)如車燈照明、移動(dòng)照明等已經(jīng)占據(jù)較大的份額;手機(jī)閃光燈已成功進(jìn)入中興、華為、聯(lián)想等國(guó)內(nèi)一線手機(jī)品牌,晶能光電現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)出貨量最大的公司。

歷經(jīng)十年發(fā)展,晶能光電已經(jīng)探索出一條以技術(shù)引進(jìn)資本,以資本撬動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展模式,通過(guò)產(chǎn)業(yè)鏈上、中、下游垂直布局,已形成擁有12家企業(yè)的硅襯底LED產(chǎn)業(yè)集群雛形,輻射帶動(dòng)效應(yīng)明顯。

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  項(xiàng)目主要完成人之一——王敏博士

王敏博士說(shuō),硅襯底LED技術(shù)和晶能光電是國(guó)家創(chuàng)新戰(zhàn)略的受益者,得到了各級(jí)政府的大力扶持。晶能光電將以此次獲獎(jiǎng)為契機(jī),在投資人和政府的大力支持下,整合各方面資源,加快產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴(kuò)張的步伐。經(jīng)過(guò)十年的發(fā)展,硅襯底LED技術(shù)和工藝已經(jīng)成熟,公司在生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)、銷售管理、資本運(yùn)作等方面也有良好的積累,發(fā)展已經(jīng)到了爆發(fā)的拐點(diǎn)。晶能光電將以更加開(kāi)放的心態(tài),希望越來(lái)越多的資本和企業(yè)加入到硅襯底LED產(chǎn)業(yè)鏈中來(lái),共筑LED的“中國(guó)夢(mèng)”。

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